IRF740STRLPBF
VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)
¥3.8
53,716
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):400 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRF740STRLPBF
VISHAY(威世)
TO-263-3

800+:¥3.8

1+:¥3.97

9050

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VISHAY(威世)
TO-263(D2PAK)

800+:¥3.81

500+:¥3.97

100+:¥4.83

30+:¥5.63

10+:¥6.34

1+:¥7.63

3006

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IRF740STRLPBF
VISHAY(威世)
TO-263-2

500+:¥3.95

100+:¥4.35

20+:¥5.15

1+:¥5.98

3562

24+/25+
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Vishay(威世)
TO-263-3

800+:¥3.952

1+:¥4.1288

9048

25+
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IRF740STRLPBF
威世(VISHAY)
TO-263-2

8000+:¥3.982

1600+:¥4.2988

800+:¥4.525

400+:¥6.335

100+:¥9.05

10+:¥14.7289

20000

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 550 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB