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IPD60R400CEAUMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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IPD60R400CEAUMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2500+:￥2.2 1+:￥2.29 |
4996 |
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圣禾堂
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IPD60R400CEAUMA1
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Infineon(英飞凌)
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PG-TO252
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2500+:￥2.288 1+:￥2.3816 |
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23+
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硬之城
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IPD60R400CEAUMA1
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INFINEON
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PG-TO252-3
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1+:￥2.6353 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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30+:￥3.14 10+:￥3.51 1+:￥4.27 |
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立创商城
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IPD60R400CEAUMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-2
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1000+:￥4.1867 500+:￥4.8147 100+:￥5.2334 30+:￥5.8614 10+:￥7.1174 1+:￥8.3734 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 112W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |