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DMG2307L-7
DIODES(美台)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DMG2307L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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9000+:￥0.1679 6000+:￥0.1794 3000+:￥0.2025 300+:￥0.2313 100+:￥0.2696 10+:￥0.3464 |
49860 |
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立创商城
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.21 1+:￥0.237 |
1516 |
25+
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圣禾堂
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DMG2307L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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600+:￥0.2174 100+:￥0.2534 10+:￥0.3256 |
515 |
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华秋商城
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DMG2307L-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2184 1+:￥0.24648 |
1455 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG2307L-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.2392 6000+:￥0.2581 3000+:￥0.2718 800+:￥0.3755 100+:￥0.3788 20+:￥0.387 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 371.3 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 760mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |