CSD17579Q3A-VB
VBsemi(微碧)
DFN3x3-8
¥1.67
468
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):30A,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@10V
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渠道
CSD17579Q3A-VB
VBsemi(微碧半导体)
DFN3x3-8

1000+:¥1.67

500+:¥1.77

100+:¥2.15

30+:¥2.55

10+:¥2.87

1+:¥3.61

468

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 30A
导通电阻(RDS(on)) 13mΩ@10V