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DMN62D0U-13
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMN62D0U-13
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DIODES(美台)
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SOT23
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10000+:￥0.158 1+:￥0.174 |
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24+
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圣禾堂
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DMN62D0U-13
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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10000+:￥0.16432 1+:￥0.18096 |
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硬之城
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DMN62D0U-13
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美台(DIODES)
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SOT-23
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100000+:￥0.1738 20000+:￥0.1876 10000+:￥0.1975 1000+:￥0.2765 100+:￥0.395 20+:￥0.6429 |
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油柑网
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DMN62D0U-13
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DIODES(美台)
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SOT-23
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10000+:￥0.1829 5000+:￥0.1881 1000+:￥0.252 300+:￥0.2649 100+:￥0.2822 10+:￥0.3167 |
13160 |
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立创商城
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DMN62D0U-13
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Diodes(达尔)
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SOT-23-3
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5000+:￥0.261 500+:￥0.2613 130+:￥0.3913 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 380mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 32 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 380mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |