2N7002DW
华轩阳
SOT-363
¥0.08964
3,240
场效应管(MOSFET)
数量:2个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):115mA,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,500mA
厂家型号
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渠道
2N7002DW
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-363

21000+:¥0.0896

9000+:¥0.0962

3000+:¥0.1085

600+:¥0.1259

200+:¥0.1494

20+:¥0.1917

3240

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2N7002DW
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-363

9000+:¥0.09

6000+:¥0.0924

3000+:¥0.094

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 2个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 115mA
导通电阻(RDS(on)) 3Ω@10V,500mA