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TPHR8504PL,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPHR8504PL,L1Q(M
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TOSHIBA(东芝)
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SOP-8
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1000+:￥3.89 500+:￥3.96 100+:￥4.11 30+:￥4.45 10+:￥4.76 1+:￥5.31 |
10066 |
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立即发货
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立创商城
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TPHR8504PL,L1Q(M
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TOSHIBA(东芝)
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SOP8
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5000+:￥4.1 1+:￥4.26 |
100 |
22+
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圣禾堂
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TPHR8504PL,L1Q(M
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Toshiba(东芝)
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100+:￥5.324 8+:￥6.38 |
100 |
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3天-15天
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唯样商城
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TPHR8504PL,L1Q(M
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Toshiba(东芝)
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SOP-8
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5000+:￥4.264 1+:￥4.4304 |
95 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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TPHR8504PL,L1Q(M
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Toshiba Semiconductor
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SOP
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25000+:￥4.104 15000+:￥4.256 10000+:￥4.484 5000+:￥4.75 |
30000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.85 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 103 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9600 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），170W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |