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SI7315DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI7315DN-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK1212-8
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1000+:￥1.39 500+:￥1.43 100+:￥1.49 30+:￥1.63 10+:￥1.75 1+:￥2.02 |
2032 |
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥2.55 |
70 |
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3000+:￥20.34 1+:￥20.75 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 315 毫欧 @ 2.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 880 pF @ 75 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |