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SIHG20N50C-E3
VISHAY(威世)
TO-247AC
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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TO-247-3
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500+:￥5.39 1+:￥5.6 |
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圣禾堂
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1000+:￥5.4 500+:￥5.64 100+:￥6.18 25+:￥7.38 10+:￥8.59 1+:￥10.52 |
14500 |
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Vishay(威世)
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500+:￥5.6056 1+:￥5.824 |
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硬之城
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威世(VISHAY)
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250+:￥5.786 50+:￥6.2463 25+:￥6.575 15+:￥9.205 5+:￥13.15 1+:￥21.4016 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 76 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2942 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |