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PNM3FD20V1E
Prisemi(芯导)
DFN1006-3L
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：450mΩ@1.8V，耗散功率(Pd)：300mW
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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PNM3FD20V1E
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Prisemi(芯导)
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DFN1006-3L
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2000+:￥0.0783 600+:￥0.0882 200+:￥0.1047 20+:￥0.1344 |
2300 |
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PNM3FD20V1E
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Prisemi(上海芯导电子)
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DFN-1006-3L
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5000+:￥0.1462 2000+:￥0.1501 500+:￥0.1566 300+:￥0.1697 100+:￥0.1827 1+:￥0.1958 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@1.8V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |