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SIR873DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SIR873DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAKSO-8
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1000+:￥5.41 500+:￥5.63 100+:￥6.13 30+:￥7.24 10+:￥8.23 1+:￥10.03 |
5906 |
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立创商城
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SIR873DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥6.05 1+:￥6.26 |
2965 |
24+
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圣禾堂
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SIR873DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥6.292 1+:￥6.5104 |
2958 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SIR873DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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1500+:￥6.886 750+:￥7.161 100+:￥7.876 6+:￥9.064 |
2965 |
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3天-15天
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唯样商城
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SIR873DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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1000+:￥10.7228 500+:￥10.7898 300+:￥10.8761 100+:￥11.3073 50+:￥11.9493 30+:￥12.8021 10+:￥17.0951 6+:￥26.4379 |
5990 |
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3周-4周
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 47.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1805 pF @ 75 V |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |