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SCT2H12NZGC11
ROHM(罗姆)
TO-3PF-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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罗姆(ROHM)
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.1A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 900µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 184 pF @ 800 V |
| 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3PFM，SC-93-3 |