HSL03N20
HUASHUO(华朔)
SOT-223
¥1.0567
1,255
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):200V,连续漏极电流(Id):1.5A,导通电阻(RDS(on)):600mΩ@4.5V,1A
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HSL03N20
HUASHUO(华朔)
SOT-223

500+:¥1.0567

150+:¥1.2604

50+:¥1.4237

5+:¥1.8047

1255

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 200V
连续漏极电流(Id) 1.5A
导通电阻(RDS(on)) 600mΩ@4.5V,1A