YJQ35N04A
YANGJIE(扬杰)
DFN3333-8L
¥0.6864
14,163
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
YJQ35N04A
YANGJIE(扬杰)
DFN(3.3x3.3)

5000+:¥0.66

1+:¥0.712

4782

25+
立即发货
YJQ35N04A
YANGJIE(扬杰)
--

5000+:¥0.6864

1+:¥0.74048

4775

25+
1-2工作日发货
YJQ35N04A
Yangjie(扬杰)
DFN(3.3x3.3)

2500+:¥0.7832

1250+:¥0.8613

100+:¥1.0329

40+:¥1.342

4782

-
3天-15天
YJQ35N04A
YANGJIE(扬杰)
DFN3333-8L

2500+:¥0.842

500+:¥0.9909

150+:¥1.1693

50+:¥1.3122

5+:¥1.6458

4605

-
立即发货
YJQ35N04A
YANGJIE(扬杰)
DFN(3.3x3.3)

30+:¥1.169

10+:¥1.312

1+:¥1.646

0

20+/21+

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 29 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1500 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 4.1W(Ta),40W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN