HSK6113
HUASHUO(华朔)
SOT-89
¥1.0966
885
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):4A,耗散功率(Pd):1.8W
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HSK6113
HUASHUO(华朔)
SOT-89

150+:¥1.0966

50+:¥1.2478

5+:¥1.6006

885

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 4A
耗散功率(Pd) 1.8W