IRLR8726TRLPBF-HXY
华轩阳
TO252-2L
¥0.486
4,400
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100A,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,30A
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IRLR8726TRLPBF-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO252-2L

5000+:¥0.486

2500+:¥0.5185

500+:¥0.577

150+:¥0.6982

50+:¥0.7954

5+:¥1.0222

4400

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 100A
导通电阻(RDS(on)) 5.5mΩ@10V,30A