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DMN63D8L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMN63D8L-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.128 1+:￥0.144 |
5525 |
24+
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圣禾堂
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DMN63D8L-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.13312 1+:￥0.14976 |
5423 |
24+
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硬之城
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DMN63D8L-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.1551 6000+:￥0.1675 3000+:￥0.1763 800+:￥0.2468 100+:￥0.3526 20+:￥0.5738 |
21000 |
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油柑网
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DMN63D8L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.158 300+:￥0.1776 100+:￥0.2037 10+:￥0.256 |
4160 |
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立创商城
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DMN63D8L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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1200+:￥0.1653 600+:￥0.1669 100+:￥0.1915 10+:￥0.2406 |
889 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 250mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23.2 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |