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SI3400A-TP
MCC(美微科)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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价格(含税)
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SOT-23
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3000+:￥0.12688 1+:￥0.14352 |
5968 |
25+
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300+:￥0.1607 100+:￥0.1872 10+:￥0.2401 |
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3000+:￥0.183 1500+:￥0.207 220+:￥0.237 |
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5000+:￥0.1836 2000+:￥0.1887 500+:￥0.1972 300+:￥0.2142 100+:￥0.2312 1+:￥0.2482 |
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美微科(MCC)
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30000+:￥0.1919 6000+:￥0.2071 3000+:￥0.2076 800+:￥0.2761 100+:￥0.3941 20+:￥0.6363 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1155 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |