NTS4001NT1G
MSKSEMI(美森科)
SOT-323
¥0.1358
4,240
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):300mA,导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,300mA
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NTS4001NT1G
MSKSEMI(美森科)
SOT-323

3000+:¥0.1358

2590

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3天-15天
NTS4001NT1G
MSKSEMI(美森科)
SOT-323

9000+:¥0.1367

6000+:¥0.1456

3000+:¥0.1634

300+:¥0.1937

100+:¥0.2233

10+:¥0.2826

1650

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NTS4001NT1G
MSKSEMI/台湾美森科
SOT-323

15000+:¥0.1353

3000+:¥0.138

3000

24+
3-5工作日
NTS4001NT1G
MSKSEMI/台湾美森科
SOT-323

9000+:¥0.149

6000+:¥0.156

3000+:¥0.172

300+:¥0.198

100+:¥0.225

10+:¥0.285

6301

2501+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 300mA
导通电阻(RDS(on)) 1Ω@10V,300mA