FDN335N
HUASHUO(华朔)
SOT-23
¥0.1687
140
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3A,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@4.5V,2.5A
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FDN335N
HUASHUO(华朔)
SOT-23

600+:¥0.1687

200+:¥0.1927

20+:¥0.2407

140

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3A
导通电阻(RDS(on)) 60mΩ@4.5V,2.5A