HSCB2016
HUASHUO(华朔)
DFN-6L(2x2)
¥0.2986
4,140
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):16A,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@4.5V
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渠道
HSCB2016
HUASHUO(华朔)
DFN-6L(2x2)

2500+:¥0.2986

500+:¥0.3539

150+:¥0.3998

50+:¥0.4609

5+:¥0.5832

3455

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HSCB2016
HUASHUO(华朔)
DFN(2x2)

100+:¥0.413

30+:¥0.468

10+:¥0.541

5+:¥0.687

685

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 16A
导通电阻(RDS(on)) 12mΩ@4.5V