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PMBF170,215
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PMBF170,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.162 1+:￥0.183 |
6638 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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PMBF170,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.16213 |
1627 |
23+
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1-3工作日发货
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硬之城
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PMBF170,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.16848 1+:￥0.19032 |
6434 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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PMBF170,215
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NEXPERIA
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SOT-23
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1500+:￥0.1774 100+:￥0.2049 1+:￥0.3136 |
455 |
2308
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现货最快4H发
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京北通宇
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PMBF170,215
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安世(Nexperia)
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SOT-23
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30000+:￥0.1782 6000+:￥0.1924 3000+:￥0.2025 800+:￥0.2835 100+:￥0.405 20+:￥0.6592 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 830mW（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |