DMP2200UDW-7
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.3622
835
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 个 P 沟道(双),FET 功能:标准,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):260 毫欧 @ 880mA,4.5V
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DMP2200UDW-7
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SOT-363

500+:¥0.3622

150+:¥0.4077

50+:¥0.4682

5+:¥0.5894

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3000+:¥0.285

1+:¥0.322

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美台(DIODES)
SOT-363

30000+:¥0.3172

6000+:¥0.3425

3000+:¥0.3605

800+:¥0.5047

100+:¥0.721

20+:¥1.1735

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 900mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 260 毫欧 @ 880mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 184pF @ 10V
功率 - 最大值 450mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363