FDC6333C
onsemi(安森美)
SuperSOT-6
¥0.84006
137,317
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):30V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A,2A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):95 毫欧 @ 2.5A,10V
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FDC6333C
ON(安森美)
SOT23-6

3000+:¥0.84006

1000+:¥0.85566

500+:¥0.87126

100+:¥0.88608

10+:¥0.897

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SuperSOT-6

6000+:¥0.8891

3000+:¥0.9448

500+:¥1.0376

150+:¥1.3115

50+:¥1.4873

5+:¥1.8974

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3000+:¥0.98

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1+:¥1.0712

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安森美(onsemi)
SOT-23-6

30000+:¥1.078

6000+:¥1.1638

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800+:¥1.715

200+:¥2.45

10+:¥3.9874

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A,2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 95 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 282pF @ 15V
功率 - 最大值 700mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6