HXY50P03NF
华轩阳
DFN-8L(5x6)
¥0.696
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场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@4.5V
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HXY50P03NF
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN-8L(5x6)

500+:¥0.696

150+:¥0.7071

50+:¥0.7183

5+:¥0.735

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 25mΩ@4.5V