HXY100N03DF
华轩阳
DFN3X3-8L
¥0.481695
4,830
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100A,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V
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HXY100N03DF
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN3X3-8L

5000+:¥0.4817

2500+:¥0.5065

500+:¥0.5708

150+:¥0.6636

50+:¥0.7379

5+:¥0.9115

4830

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HXY100N03DF
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
DFN3X3-8L

15000+:¥0.4399

10000+:¥0.4514

5000+:¥0.459

720000

24+
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 100A
导通电阻(RDS(on)) 5.5mΩ@10V