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BST82,215
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：190mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.424 1+:￥0.453 |
11032 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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BST82,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.44004 |
27000 |
24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BST82,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.44096 1+:￥0.47112 |
10320 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BST82,215
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安世(Nexperia)
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SOT-23
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30000+:￥0.4664 6000+:￥0.5035 3000+:￥0.53 800+:￥0.742 200+:￥1.06 10+:￥1.7252 |
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油柑网
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BST82,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.5116 3000+:￥0.5448 500+:￥0.6001 150+:￥0.7243 50+:￥0.8238 5+:￥1.056 |
1740 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 150mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 830mW（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |