AOD4144-HXY
华轩阳
TO-252-2L
¥0.5823
20
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):60A,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,30A
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AOD4144-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

1000+:¥0.5823

500+:¥0.6111

100+:¥0.6591

30+:¥0.7669

10+:¥0.8533

1+:¥1.0549

20

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 60A
导通电阻(RDS(on)) 9mΩ@10V,30A