CJL2623
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23-6
¥0.235
44,597
场效应管(MOSFET)
数量:2个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,导通电阻(RDS(on)):180mΩ@4.5V,2A,耗散功率(Pd):350mW
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CJL2623
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23-6

3000+:¥0.235

1+:¥0.266

2957

25+
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CJL2623
长电/长晶(JCET)
SOT-23-6L

30000+:¥0.242

6000+:¥0.2613

3000+:¥0.275

800+:¥0.385

100+:¥0.55

20+:¥0.8951

29664

-
CJL2623
JSCJ(长晶)
SOT23-6

3000+:¥0.2587

1200+:¥0.2999

600+:¥0.303

100+:¥0.3859

10+:¥0.4808

3000

-
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CJL2623
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23-6

3000+:¥0.2723

500+:¥0.3189

150+:¥0.3563

50+:¥0.4062

5+:¥0.5061

3055

-
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CJL2623
JSCJ(长晶)
SOT-23-6

1+:¥0.27664

2954

25+
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 2个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻(RDS(on)) 180mΩ@4.5V,2A
耗散功率(Pd) 350mW