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AONS36306
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），63A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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AOS
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DFN-8(5x6)
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3000+:￥0.95 1+:￥1.0 |
2163 |
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圣禾堂
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DFN-8(5x6)
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3000+:￥0.988 1+:￥1.04 |
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硬之城
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AOS
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DFN-8(5x6)
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30000+:￥1.045 6000+:￥1.1281 3000+:￥1.1875 800+:￥1.6625 100+:￥2.375 20+:￥3.8653 |
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油柑网
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8-DFN-EP(5x6)
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1500+:￥1.1 750+:￥1.166 100+:￥1.309 40+:￥1.639 |
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唯样商城
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DFN-8(5x6)
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500+:￥1.3727 150+:￥1.6165 50+:￥1.8119 5+:￥2.2678 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Ta），63A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 6.2W（Ta），31W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSMD，扁平引线 |