SI4425DDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
¥1.38
41,031
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.7A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI4425DDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8

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Vishay(威世)
SO-8

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Vishay(威世)
8-SOIC

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威世(VISHAY)
SOIC-8

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27500

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SI4425DDY-T1-GE3
Vishay(威世)
SOIC8_150MIL

2000+:¥1.6385

1000+:¥1.711

500+:¥1.8125

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