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BSS306NH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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BSS306NH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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100+:￥0.295 30+:￥0.358 10+:￥0.41 1+:￥0.514 |
1520 |
20+/21+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4 1+:￥0.428 |
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25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.416 1+:￥0.44512 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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100+:￥0.448 30+:￥0.472 10+:￥0.48 1+:￥0.52 |
500 |
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华秋商城
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BSS306NH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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500+:￥0.5696 150+:￥0.682 50+:￥0.7756 5+:￥0.9628 |
2645 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 11µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.5 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 275 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |