DMP3068L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.213444
84,068
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,10V
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DMP3068L-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1000+:¥0.2134

100+:¥0.3163

1+:¥0.3325

18432

2239
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DMP3068L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.215

1+:¥0.243

5532

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DMP3068L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.2236

1+:¥0.25272

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DMP3068L-7
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SOT-23

6000+:¥0.2287

3000+:¥0.2563

300+:¥0.3074

100+:¥0.3533

10+:¥0.4451

8600

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DMP3068L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.242

6000+:¥0.2613

3000+:¥0.275

800+:¥0.385

100+:¥0.55

20+:¥0.8951

30000

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 72 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 708 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3