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PMV213SN,215
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PMV213SN,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.5512 1+:￥0.5928 |
2349 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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PMV213SN,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.5695 3000+:￥0.6051 500+:￥0.6645 150+:￥0.8143 50+:￥0.9234 5+:￥1.1781 |
17575 |
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立即发货
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立创商城
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PMV213SN,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.56994 |
27000 |
25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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PMV213SN,215
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安世(Nexperia)
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SOT-23
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30000+:￥0.583 6000+:￥0.6294 3000+:￥0.6625 800+:￥0.9275 100+:￥1.325 20+:￥2.1565 |
2354 |
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油柑网
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PMV213SN,215
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Nexperia(安世)
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SOT23
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3000+:￥0.583 1500+:￥0.627 200+:￥0.7205 60+:￥0.9372 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 280mW（Tj） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |