厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SIR422DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:¥1.98 1+:¥2.08 |
23478 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SIR422DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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1000+:¥2.0 500+:¥2.13 100+:¥2.37 30+:¥2.77 10+:¥3.18 1+:¥3.99 |
6247 |
-
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立即发货
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立创商城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:¥2.0592 1+:¥2.1632 |
23474 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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3000+:¥2.178 1500+:¥2.288 750+:¥2.42 100+:¥2.717 20+:¥3.388 |
23478 |
-
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3天-15天
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唯样商城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PPAK8_4.9X5.89MM
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1000+:¥2.31 500+:¥2.42 100+:¥2.574 30+:¥2.904 10+:¥3.124 1+:¥3.454 |
1000 |
-
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立即发货
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华秋商城
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属性 | 属性值 |
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FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.6 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 48 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1785 pF @ 20 V |
功率耗散(最大值) | 5W(Ta),34.7W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |