咨询/建议
SIR422DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SIR422DP-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK® SO-8
|
3000+:￥1.98 1+:￥2.08 |
23478 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SIR422DP-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
PowerPAK-SO-8
|
1000+:￥2.0 500+:￥2.13 100+:￥2.37 30+:￥2.77 10+:￥3.18 1+:￥3.99 |
6251 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SIR422DP-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PowerPAK-SO-8
|
3000+:￥2.0592 1+:￥2.1632 |
23474 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SIR422DP-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOIC-8
|
3000+:￥2.178 1500+:￥2.288 750+:￥2.42 100+:￥2.717 20+:￥3.388 |
23478 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
SIR422DP-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
PPAK8_4.9X5.89MM
|
1000+:￥2.31 500+:￥2.42 100+:￥2.574 30+:￥2.904 10+:￥3.124 1+:￥3.454 |
1000 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1785 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），34.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |