SIR422DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SO-8
¥1.98
78,480
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SIR422DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK® SO-8

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PowerPAK-SO-8

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SIR422DP-T1-GE3
Vishay(威世)
SOIC-8

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SIR422DP-T1-GE3
Vishay(威世)
PPAK8_4.9X5.89MM

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 48 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1785 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 5W(Ta),34.7W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8