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SI2325DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：530mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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SI2325DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.41 1+:￥1.49 |
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圣禾堂
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SI2325DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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1000+:￥1.41 500+:￥1.4476 100+:￥1.5134 30+:￥1.76 10+:￥1.88 1+:￥2.17 |
7277 |
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立创商城
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SI2325DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.4664 1+:￥1.5496 |
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硬之城
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥1.551 6000+:￥1.6744 3000+:￥1.7625 800+:￥2.4675 200+:￥3.525 10+:￥5.7369 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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1500+:￥1.639 750+:￥1.727 100+:￥1.936 30+:￥2.42 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 530mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |