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NTD3055L104T4G
onsemi(安森美)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTD3055L104T4G
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onsemi(安森美)
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DPAK
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1000+:￥1.56 500+:￥1.67 100+:￥2.04 30+:￥2.43 10+:￥2.74 1+:￥3.48 |
3047 |
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立创商城
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NTD3055L104T4G
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ON(安森美)
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TO-252-4
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2500+:￥1.68 1+:￥1.77 |
1960 |
24+
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圣禾堂
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ON(安森美)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥1.7472 1+:￥1.8408 |
1956 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTD3055L104T4G
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ON(安森美)
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DPAK
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1250+:￥1.947 100+:￥2.233 20+:￥2.904 |
1960 |
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3天-15天
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唯样商城
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NTD3055L104T4G
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onsemi(安森美)
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TO-252-2
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500+:￥2.03 100+:￥2.49 30+:￥2.88 1+:￥4.01 |
3000 |
22+/23+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 104 毫欧 @ 6A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 440 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta），48W（Tj） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |