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CSD18563Q5A
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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SON-8(5x6)
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500+:￥3.15 100+:￥3.66 30+:￥4.25 10+:￥4.83 1+:￥6.01 |
619 |
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立创商城
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TI(德州仪器)
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DFN-8(5.1x5.7)
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2500+:￥3.276 1+:￥3.4112 |
1880 |
24+
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硬之城
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TI(德州仪器)
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VSONP8
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500+:￥3.35 100+:￥3.88 20+:￥4.46 1+:￥5.85 |
3000 |
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在芯间
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德州仪器(TI)
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DFN-8(5.1x5.7)
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25000+:￥3.465 5000+:￥3.7406 2500+:￥3.9375 800+:￥5.5125 200+:￥7.875 10+:￥12.8166 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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DFN-8(5.1x5.7)
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2500+:￥3.6 1+:￥3.75 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.8mOhm @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），116W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |