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NTTFS5826NL-HXY
华轩阳
DFN-8L(3x3)
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,15A
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTTFS5826NL-HXY
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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DFN-8L(3x3)
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5000+:￥0.4453 2500+:￥0.4654 500+:￥0.5214 150+:￥0.5968 50+:￥0.6572 5+:￥0.7982 |
5110 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,15A |