2SK3018W
BORN(伯恩半导体)
SOT-323
¥0.0637
23,037
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100mA,导通电阻(RDS(on)):13Ω@2.5V,耗散功率(Pd):200mW
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2SK3018W
BORN(伯恩半导体)
SOT-323

3000+:¥0.0637

1+:¥0.0803

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2SK3018W
BORN(伯恩)
SOT-323

3000+:¥0.06625

1+:¥0.08351

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2SK3018W
BORN(伯恩半导体)
SOT-323

9000+:¥0.073

3000+:¥0.0812

600+:¥0.0906

200+:¥0.1062

20+:¥0.1344

14160

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BORN(伯恩)
SOT-323

3000+:¥0.078

1200+:¥0.087

300+:¥0.1019

20+:¥0.129

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2SK3018W
BORN/深圳伯恩半导体

9000+:¥0.0667

6000+:¥0.0684

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规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 100mA
导通电阻(RDS(on)) 13Ω@2.5V
耗散功率(Pd) 200mW