FDV305N
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.26
373,142
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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FDV305N
ON(安森美)
SOT-23

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ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.2704

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3000+:¥0.29079

1000+:¥0.29619

500+:¥0.30159

100+:¥0.30672

10+:¥0.3105

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23+
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FDV305N
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.338

1500+:¥0.3822

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90+:¥0.5753

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6000+:¥0.3487

3000+:¥0.3719

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5+:¥0.7161

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 900mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 900mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 109 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3