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SI2337DS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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SI2337DS-T1-E3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥1.4916 6000+:￥1.6103 3000+:￥1.695 800+:￥2.373 200+:￥3.39 10+:￥5.5172 |
3000 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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SOT-23
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100+:￥1.5456 30+:￥1.6296 10+:￥1.6576 1+:￥1.7976 |
500 |
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华秋商城
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VISHAY
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SOT-23
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1000+:￥2.1854 100+:￥2.352 1+:￥2.548 |
1092 |
2333
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现货最快4H发
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京北通宇
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥3.18773 |
15000 |
22+
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硬之城
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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1000+:￥4.9637 500+:￥5.0212 300+:￥5.1075 100+:￥5.5387 50+:￥6.1807 20+:￥8.1163 |
2885 |
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3周-4周
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 760mW（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |