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TPM2008EP3-A
TECH PUBLIC(台舟)
DFN1006-3L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：370mΩ@25V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPM2008EP3-A
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TECH PUBLIC(台舟)
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DFN1006-3L
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20000+:￥0.0916 10000+:￥0.0984 2000+:￥0.1239 600+:￥0.1383 200+:￥0.1623 20+:￥0.2055 |
70180 |
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立即发货
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立创商城
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TPM2008EP3-A
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TECH PUBLIC/台舟电子
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DFN-1006-2
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30000+:￥0.1107 10000+:￥0.1141 |
100000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 370mΩ@25V |