SI2309-HXY
华轩阳
SOT-23
¥0.16263
12,850
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):2A,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@4.5V,1.5A
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SI2309-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

9000+:¥0.1626

6000+:¥0.1711

3000+:¥0.188

300+:¥0.2337

100+:¥0.2619

10+:¥0.3182

12850

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 2A
导通电阻(RDS(on)) 200mΩ@4.5V,1.5A