AON7407
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥0.78
86,292
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A(Ta),40A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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AON7407
AOS
DFN3x3-8L

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1+:¥0.841

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AON7407
AOS(美国万代)
DFN-8(3x3)

5000+:¥0.78728

1000+:¥0.8019

500+:¥0.81652

100+:¥0.83041

10+:¥0.84065

9466

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AON7407
AOS(美国万代)
DFN-8(3x3)

5000+:¥0.8112

1+:¥0.87464

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AON7407
AOS(美国万代)
DFN 3x3 EP

5000+:¥0.858

2500+:¥0.9251

1250+:¥1.0175

100+:¥1.221

40+:¥1.595

17853

-
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AON7407
AOS(美国万代)
DFN-8(3x3)

2500+:¥0.86616

500+:¥0.94305

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50+:¥1.05306

5+:¥1.16306

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14.5A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.5 毫欧 @ 14A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 53 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4195 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),29W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN