NCE55P30K
NCE(无锡新洁能)
TO-252-2L
¥1.06704
25,139
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):55V,连续漏极电流(Id):30A,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,15A
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NCE55P30K
NCE(新洁能)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.067

1+:¥1.134

4321

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NCE55P30K
NCE(新洁能)
TO-252-2L

2500+:¥1.0868

1250+:¥1.155

100+:¥1.32

30+:¥1.716

4321

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3天-15天
NCE55P30K
NCE(新洁能)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.10972

1+:¥1.17936

4315

24+
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NCE55P30K
NCE(新洁能)
TO-252-2(DPAK)

5000+:¥1.14377

1000+:¥1.16501

500+:¥1.18625

100+:¥1.20643

10+:¥1.2213

11928

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现货
NCE55P30K
NCE(无锡新洁能)
TO-252-2L

100+:¥1.41

30+:¥1.76

10+:¥2.04

1+:¥2.68

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 30A
导通电阻(RDS(on)) 40mΩ@10V,15A