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STN3NF06L
ST(意法半导体)
TO-261-4，TO-261AA
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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STN3NF06L
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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4000+:￥0.75 1+:￥0.808 |
2008 |
24+
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圣禾堂
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STN3NF06L
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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4000+:￥0.76 2500+:￥0.821 500+:￥0.9227 150+:￥1.2134 50+:￥1.3963 5+:￥1.8231 |
8285 |
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立即发货
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立创商城
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STN3NF06L
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ST(意法半导体)
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SOT-223-4
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4000+:￥0.78 1+:￥0.84032 |
2003 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STN3NF06L
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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2000+:￥0.8888 1000+:￥0.9779 100+:￥1.177 40+:￥1.529 |
2008 |
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3天-15天
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唯样商城
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STN3NF06L
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STMICROELECTRONICS
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SOT-223
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1+:￥5.0764 |
98 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |