SI4401FDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
¥1.38
84,752
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.9A(Ta),14A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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VISHAY(威世)
SOIC-8

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威世(VISHAY)
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