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FDB33N25TM
onsemi(安森美)
D2PAK(TO-263)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDB33N25TM
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ON(安森美)
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D²PAK
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800+:￥2.99 1+:￥3.13 |
346 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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FDB33N25TM
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onsemi(安森美)
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D2PAK(TO-263)
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800+:￥3.01 500+:￥3.17 100+:￥3.52 30+:￥5.61 10+:￥6.3 1+:￥7.56 |
2004 |
-
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立即发货
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立创商城
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FDB33N25TM
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ON(安森美)
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TO-263-3
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800+:￥3.1096 1+:￥3.2552 |
344 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDB33N25TM
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安森美(onsemi)
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D2PAK(TO-263)
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8000+:￥3.289 1600+:￥3.5506 800+:￥3.7375 400+:￥5.2325 100+:￥7.475 10+:￥12.1656 |
346 |
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油柑网
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FDB33N25TM
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ON(安森美)
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TO-263-3
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3200+:￥3.34845 1000+:￥3.3957 500+:￥3.44295 100+:￥3.4839 10+:￥3.528 |
159751 |
24+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2135 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 235W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |