WNM2020-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-23
¥0.10608
34,187
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):900mA,导通电阻(RDS(on)):320mΩ@1.8V
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WNM2020-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-23

3000+:¥0.104

1+:¥0.118

42295

25+
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WNM2020-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.11416

1000+:¥0.11628

500+:¥0.1184

100+:¥0.12041

10+:¥0.1219

17505

25+
现货
WNM2020-3/TR
Willsemi(韦尔)

3000+:¥0.153

1500+:¥0.1725

260+:¥0.1995

15039

-
3天-15天
WNM2020-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-23

600+:¥0.2327

200+:¥0.2762

20+:¥0.3362

1520

-
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WillSemi(韦尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.10608

1+:¥0.1196

32

25+
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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 900mA
导通电阻(RDS(on)) 320mΩ@1.8V